日前，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、劉春森團(tuán)隊(duì)成功研制“破曉”閃存器件，擦寫速度達(dá)到400皮秒，比傳統(tǒng)閃存的擦寫速度快100萬(wàn)倍，是人類迄今掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)器件。北京時(shí)間4月16日晚，相關(guān)成果發(fā)表于國(guó)際頂尖期刊《自然》。

團(tuán)隊(duì)基于器件物理機(jī)制的創(chuàng)新，持續(xù)推進(jìn)高速非易失性閃存技術(shù)的研發(fā)。通過(guò)巧妙結(jié)合二維狄拉克能帶結(jié)構(gòu)與彈道輸運(yùn)特性，調(diào)制二維溝道的高斯長(zhǎng)度，從而實(shí)現(xiàn)溝道電荷向存儲(chǔ)層的超注入。這一超注入機(jī)制與現(xiàn)有閃存電場(chǎng)輔助注入規(guī)律截然不同：傳統(tǒng)注入規(guī)律存在注入極值點(diǎn)，而超注入則表現(xiàn)為無(wú)限注入。團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了準(zhǔn)二維高斯模型，成功從理論上預(yù)測(cè)了超注入現(xiàn)象，并據(jù)此研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲(chǔ)SRAM技術(shù)。“破曉”存儲(chǔ)器件的穩(wěn)定性高度依賴工藝流程的一致性。通過(guò)AI算法對(duì)工藝測(cè)試條件實(shí)現(xiàn)科學(xué)優(yōu)化，極大推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與落地。

二維超注入機(jī)制將非易失存儲(chǔ)速度提升至～1T的理論極限，標(biāo)志著現(xiàn)有存儲(chǔ)技術(shù)邊界將被重新定義。閃存作為性價(jià)比最高、應(yīng)用最廣泛的存儲(chǔ)器，一直是國(guó)際科技巨頭技術(shù)布局的基石。團(tuán)隊(duì)研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù)，不僅有望改變?nèi)虼鎯?chǔ)技術(shù)格局，進(jìn)而推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)并催生全新應(yīng)用場(chǎng)景，還為我國(guó)在相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)提供強(qiáng)有力支撐。